パワー エレクトロニクスの高圧高い現在の機能のIRFB7740PBF Mosfet
型式番号:IRFB7740PBF
原産地:複数の起源
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1-7days
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Shenzhen China
住所：
1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRFB7740PBF MOSFETのパワー エレクトロニクスは低いオン抵抗を、高い切り替え速度特色にする高性能、費用効果が大きい装置および高周波性能である。この装置は有効な、信頼できる、強力な切換えを要求する適用にとって理想的である。
製品仕様書:
•最高の下水管源の電圧:100V
•最高のゲート源の電圧:20V
•連続的な下水管の流れ:30A
•ピーク脈拍の流れ:190A
•最高の下水管源のオン抵抗:0.036Ω
•実用温度範囲:-55°Cへの150°C
•パッケージ:TO-220AB
•迎合的なRoHS
プロダクト状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 6V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 7.3mOhm @ 52A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.7V @ 100µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 122 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 4650 pF @ 25ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 143W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | TO-220AB | |
パッケージ/場合 | ||
基礎プロダクト数 |
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パワー エレクトロニクスの高圧高い現在の機能のIRFB7740PBF Mosfet
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