NTMFS4C027NT1G Nチャンネル 30V 0.2A（TDS） MOSFET パワーエレクトロニクス 5-DFNパッケージ シングル Nチャンネル 30V 52A
型式番号:NTMFS4C027NT1G
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
NTMFS4C027NT1G Nチャンネル 30V 0.2A（TDS） MOSFET パワーエレクトロニクス 5-DFNパッケージ シングル Nチャンネル 30V 52A
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | ||
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | ||
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V、10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.8ミリオーム @ 18A、10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.1V @ 250μA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18.2nC@10V | |
Vgs (最大) | ±20V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1670 pF @ 15 V | |
FETの特徴 | - | |
消費電力(最大) | 2.51W(Ta)、25.5W(Tc) | |
動作温度 | -55℃～150℃(TJ) | |
取付タイプ | ||
サプライヤーデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
パッケージ・ケース |
製品リスト:
製品名: NTMFS4C027NT1G MOSFET パワーエレクトロニクス
メーカー: オン・セミコンダクター
パッケージ: 5-DFN
VDS(V):30
ID (A): 0.027
RDS(オン) (Ω): 0.08
チャンネル数: 1
VGS(V):20
電力 (W): 0.3
Pd(W):0.45
入力容量 (Ciss) (pF): 860
構成: シングル
ドレイン・ソース間耐圧 (Vdss): 30V
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