AONR21321 MOSFETのパワー エレクトロニクスのP-Channel 30Vの分離した半導体のパッケージ8-DFN-EP
型式番号:AONR21321
原産地:原物
最低順序量:1
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製品詳細
AONR21321 MOSFET力
電子工学のP-Channel 30Vの分離した半導体のパッケージ8-DFN-EP
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 16.5mOhm @ 12A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2.3V @ 250µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 34 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±25V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 1180 pF @ 15ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 4.1W （Ta）、24W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-DFN-EP （3x3） | |
パッケージ/場合 | ||
基礎プロダクト数 |
概説
•最も最近の高度の堀の技術-30V
•低いRDS （）
•高い現在の機能
•RoHSおよびハロゲンなしの迎合的
適用
•負荷スイッチACのノート
•電池の保護充満/排出
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AONR21321 MOSFETのパワー エレクトロニクスのP-Channel 30Vの分離した半導体のパッケージ8-DFN-EP
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