FCD2250N80Z MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252AAのパッケージ N-ChannelのSuperFET® II MOSFET 800V 2.6A
型式番号:FCD2250N80Z
原産地:原物
最低順序量:1
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製品詳細
FCD2250N80Z MOSFETのパワー エレクトロニクス
TO-252AAのパッケージのN-ChannelのSuperFET® II MOSFET 800V 2.6A
FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET （金属酸化物） | |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | ||
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | ||
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V | |
（最高） @ ID、VgsのRds | 2.25Ohm @ 1.3A、10V | |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 4.5V @ 260µA | |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 14 NC @ 10ボルト | |
Vgs （最高） | ±20V | |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 585 pF @ 100ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失（最高） | 39W （Tc） | |
実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | TO-252AA | |
パッケージ/場合 |
特徴
•RDSの（） = 1.8Typ。）
•超低いゲート充満（タイプ。Qg = 11 NC）
•低いEoss （タイプ。1.1 uJ @ 400V）
•低く有効な出力キャパシタンス（タイプ。Coss （eff.） = 51 pF）
•100%のなだれはテストした
•迎合的なRoHS
•ESDは機能の適用を改善した
•AC - DC電源•LEDの照明
記述
SuperFET® II
MOSFETはフェアチャイルドの半導体の顕著で低いオン抵抗およびより低いゲート充満性能のために充満バランスの技術を利用している真新しい高圧超接続点（SJ）
MOSFET家族である。この技術は伝導の損失を、優秀な転換の性能最小にするために、dv/dt率およびより高いなだれエネルギーを提供するために合う。その結果、SuperFET
II MOSFETは音声、ラップトップのアダプター、照明、ATX力および産業力の適用のような転換力の適用のために非常に適している。
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FCD2250N80Z MOSFETのパワー エレクトロニクスTO-252AAのパッケージ N-ChannelのSuperFET® II MOSFET 800V 2.6A
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