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技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | ||
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | ||
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 6V、10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 5.9mOhm @ 23A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 120µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 31 NC @ 10ボルト | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 2040 pF @ 40ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 2.7W (Ta)、100W (Tc) | |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
プロダクト:オン・セミコンダクターNTTFS5D9N08HTWG MOSFETのパワー エレクトロニクス
変数:
•下水管源の電圧(Vdss):60ボルト
•ゲート源の電圧(Vgs):±20 V
•連続的な下水管の流れ(ID):8.5 A
•脈打った下水管の流れ(Idm):17 A
•オン抵抗(Rds):0.09オーム
•上昇時間(tr):5 ns
•落下時間(tf):10 ns
•最高の接合部温度(Tj):175 °C
•実用温度:-55 175 °Cへの°C
•パッケージ/場合:TO-252-3、DPAK
•タイプの取付け:表面の台紙
•ピンの数:3
•ブランド:オン・セミコンダクター
•トランジスター タイプ:MOSFETのN-Channel、金属酸化物
•トランジスター極性:N-Channel
•電力損失(Pd):12.5のW