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FETのタイプ | ||
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | ||
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | ||
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 6V、10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 160mOhm @ 2.4A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA | |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 24 NC @ 10ボルト | |
Vgs (最高) | ±25V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 1360 pF @ 75ボルト | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 2.3W (Ta)、40W (Tc) | |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | ||
製造者装置パッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | |
パッケージ/場合 |
プロダクト リスト:
オン・セミコンダクターFDMC86261P力MOSFET
製品の機能:
•N-Channel
•100ボルト
•20 A
•0.025オーム
•3.3 mA @ 10ボルト
•175°C最高使用可能温度
•速い切換え
•低いゲート充満
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•低い出力キャパシタンス
•ESDは保護した
•迎合的なRoHS