半導体FDMC86261Pの超低いオン抵抗の高い流れおよび出力密度の機能の二重N-Channel MOSFET

型式番号:FDMC86261P
原産地:原物
最低順序量:1
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供給の能力:999999
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Shenzhen China
住所: 1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細 会社概要
製品詳細
半導体FDMC86261Pの超低いオン抵抗の高い流れおよび出力密度の機能150Vの二重N-Channel MOSFET
 
 
FETのタイプ
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
6V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds
160mOhm @ 2.4A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
24 NC @ 10ボルト
Vgs (最高)
±25V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
1360 pF @ 75ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
2.3W (Ta)、40W (Tc)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
製造者装置パッケージ
8-MLP (3.3x3.3)
パッケージ/場合
 

 

プロダクト リスト:

オン・セミコンダクターFDMC86261P力MOSFET

 

製品の機能:

•N-Channel
•100ボルト
•20 A
•0.025オーム
•3.3 mA @ 10ボルト
•175°C最高使用可能温度
•速い切換え
•低いゲート充満
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•低い出力キャパシタンス
•ESDは保護した
•迎合的なRoHS

 

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半導体FDMC86261Pの超低いオン抵抗の高い流れおよび出力密度の機能の二重N-Channel MOSFET

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