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プロダクト リスト:IRF 4104 SPBF力MOSFETの特徴:
•最高の下水管の源の電圧(Vdss):100ボルト•Rds ():0.070オーム•連続的な下水管の流れ:30A•脈打った下水管の流れ:60A•ゲートの境界の電圧(Vgs):2.0 V•実用温度範囲:-55 +175°Cへの°C•タイプの取付け:穴を通して•トランジスター タイプ:MOSFETのN-Channel•電力損失:75W•電圧-供給:-•ゲート充満:75NC•FETの特徴:標準•動的カタログ:MOSFET
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