IRFL024ZTRPBF 信頼性の高いスイッチングを実現する高性能 MOSFET パワー エレクトロニクス デバイス

型式番号:IRFL024ZTRPBF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所: 1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
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製品詳細 会社概要
製品詳細

IRフロリダ州024ZTRPBFハイパフォーマンス

信頼性の高いスイッチングを実現する MOSFET パワー エレクトロニクス デバイス


特徴:


• Nチャンネルエンハンスメントモード
• 動作温度 175°C
• 4.5V~20Vのゲート閾値電圧
• 4.5A、100V、0.119オームのRDS(オン)
• 高速スイッチング
• 高速真性ダイオード
• 低い入出力容量
• RoHS対応
• ハロゲンおよびアンチモンフリー


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IRFL024ZTRPBF 信頼性の高いスイッチングを実現する高性能 MOSFET パワー エレクトロニクス デバイス

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