力の適用のためのSI2301CDS-T1-GE3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能そして耐久の解決

型式番号:SI2301CDS-T1-GE3

原産地:原物

最低順序量:1

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製品詳細

力の適用のためのSI2301CDS-T1-GE3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能そして耐久の解決

Vishay SI2301CDS-T1-GE3のN-Channel MOSFET、30V、3.2A、3.2オーム、8 Pin SOT-23

製品の機能:
- 高密度適用のための控えめなパッケージの理想
- 高温にはんだ付けすることは保証した:ターミナルの260 °C/10 s
- ESD保護される:HBM ESD > 2000ボルト;CDM ESD > 1000ボルト
- 高性能のための低いRDS （）
- 優秀な性能のための高速切換え
- 損失を転換することを減らされるのための低いゲート充満
- 十分になだれの電圧および流れを特徴付けた

製品仕様書:
- 極性:N-Channel
- 電圧:30V
- 現在:3.2A
- オン州の抵抗:3.2オーム
- ピンの数:8 Pin SOT-23
- パッケージのタイプ:SOT-23

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