高度のパワー エレクトロニクスの適用のためのIRFU9120NPBFの高い発電MOSFET

型式番号:IRFU9120NPBF
原産地:原物
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:999999
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen China
住所: 1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
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製品詳細

IRFU9120NPBFの高い発電

高度のパワー エレクトロニクスの適用のためのMOSFET

 

記述:

 

IRFU9120NPBFは高速、低電圧、低抵抗のN-channelのMOSFETsである。それに7.6nCだけの総ゲート充満および35mΩだけのオン抵抗がある。MOSFETは、それをいろいろな適用のためにうってつけにする10Aまで高い現在のレベルで操作が可能である。

 

特徴:

- 低電圧操作
- 低いオン抵抗
- 高速切換え
- 7.6nCの総ゲート充満
- 10Aまでの最高の下水管の流れ
- 35mΩの低いゲート充満RDS ()
- TO-252パッケージで包まれる

 

 

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高度のパワー エレクトロニクスの適用のためのIRFU9120NPBFの高い発電MOSFET

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