IRF1407STRLPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの良質の低い電力の消滅の優秀な転換の性能

型式番号:IRF1407STRLPBF

原産地:原物

最低順序量:1

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製品詳細会社概要

製品詳細

IRF1407STRLPBF MOSFETのパワーエレクトロニクスの良質の低い電力の消滅の優秀な転換の性能

製品の機能:

•低いオン抵抗
•最も高いピークの現在の機能
•低いゲート充満
•高い絶縁破壊電圧
•低い入出力キャパシタンス
•速い切り替え速度
•超低い境界の電圧
•迎合的なRoHS
•AEC-Q101は修飾した

技術仕様:

•トランジスタータイプ:MOSFET
•源の電圧（Vds）に流出させなさい:60V
•源の電圧（Vgs）へのゲート:±20V
•流れ（ID）を流出させなさい:6A
•連続的な下水管の流れ（ID）:2.5A
•オン抵抗（Rdson）:0.07 Ω
•電力損失（Pd）:4.2W
•実用温度:-55°Cへの150°C

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