MGW12N120D力MosfetのトランジスターはAnti-Parallelダイオードが付いているゲートの両極トランジスターを絶縁した

型式番号:MGW12N120D
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8400pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細


Anti-Parallelダイオードが付いている絶縁されたゲートの両極トランジスター
N-Channel強化モード ケイ素 ゲート

TO-247のIGBT及びダイオード
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200ボルト
評価される短絡

この絶縁されたゲートの両極トランジスター(IGBT)は柔らかい回復超高速の整流器によって共同包まれ、高められ、信頼できる高い電圧妨害の機能を提供するのに高度終了の機構を使用する。短絡は運動制御ドライブのような時間に抗するように保証された短絡が要求する適用にIGBTをとりわけ適する評価した。速い転換の特徴は高周波で有効な操作で起因する。共同包まれたIGBTの保存スペースは、アセンブリー時およびコストを削減する。

•隔離された取り付け穴が付いている業界標準の高い発電TO-247のパッケージ
•高速Eoff:150か。125°Cで典型的なJ/A
•高い短絡の機能– 10か。sの最低
•柔らかい回復自由な回転ダイオードはパッケージに含まれている
•強い高圧終了
•強いRBSOA

最高の評価(通知がなければTJ = 25°C)

評価記号価値単位
Collector-Emitter電圧VCES1200Vdc
コレクター ゲートの電圧(RGE = 1.0 MΩ)VCGR1200Vdc
ゲート エミッターの電圧—連続的VGE± 20Vdc

コレクター流れ—連続的@ TC = 25°C

—連続的@ TC = 90°C

—反復的な脈打った現在の(1)

IC25

IC90

ICM

20

12

40

Vdc


Apk

全体の電力損失@ TC = 25°C

25°Cの上で軽減しなさい

PD

125

0.98

ワット

With°C

作動および貯蔵の接合部温度の範囲TJ、Tstg– 55から150°C

短絡の抵抗の時間

(VCC = 720 Vdc、VGE = 15 Vdc、TJ = 125°C、RG = 20 Ω)

TSC10か。μs

熱抵抗—– IGBTを包装する接続点

—–ダイオードを包装する接続点

—包囲されたへの接続点

RθJC

RθJC

RθJA

1.0

1.4

45

°C/W
はんだ付けする目的のための最高の鉛の温度、5秒の言い分からの1/8の″TL260°C
トルク、6-32またはM3ねじを取付ける10 lbf*か。(1.13のNか。*m)

(1)脈拍幅は最高の接合部温度によって限られる。反復的な評価。

パッケージ次元



標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
L9616D3785ST15+SOP8
LM7818CT7181NSC14+TO-220
2MBI100N-060418富士12+モジュール
PMBS39046000014+SOT-23
MT41K128M16JT-125:K7044ミクロン14+BGA
P80C31BH-19620INTEL16+すくい
LXT906PC4933LEVELONE16+PLCC
LTC3440EMS6740LT16+MSOP
MAX3232EIPWR11650チタニウム14+TSSOP
BTA24-600BW10000ST15+TO-220
MSP430G2231IPW14R6841チタニウム16+TSSOP
MJF15031G8600016+TO-220
MC7805ABD2TR4G407214+TO-263
MCP73871-2CCI/ML5626マイクロチップ16+QFN
MCP1702-5002E/TO5050マイクロチップ16+TO-92
NCT3941S-A14560NUVOTON11+SOP-8
LM308H500NSC11+CAN-8
M27256-2F14179ST16+すくい
LM75AD543214+SOP-8
MAX6369KA+T4625格言14+SOT
PIC16F76T-I/SO4988マイクロチップ14+SOP




China MGW12N120D力MosfetのトランジスターはAnti-Parallelダイオードが付いているゲートの両極トランジスターを絶縁した supplier

MGW12N120D力MosfetのトランジスターはAnti-Parallelダイオードが付いているゲートの両極トランジスターを絶縁した

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