rf電源 ldmosトランジスタ

2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...

AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター高性能の低雑音の50オーム入出力インピーダンス プロダクト リスト: AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター 製品タイプ:RF力トランジスター パッケージのタイプ:巻き枠 トランジスターの数:7 構成:片端接地.........

ケイ素 RF 力 電界効果トランジスタ のトランジスター IC 2SD1625 PNP/NPN のエピタキシアル平面 2SD1625 運転者の塗布 PNP/NPN のエピタキシアル平面のケイ素のトランジスター IC 適用 運転者、プリンター.........

FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........

M68702H 150-175MHz、12.5V、60WのFMの可動装置のラジオのためのRF力モジュールのトランジスター 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG/BRAND 　 部品番号 MFG/BRAND SS513AT ハネウェル社 　 RT2528L RALNK RT5501WSC ......

NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin （分） （v） 3 Vin （最高の） （v） 17 Vout （分） （v） 1.8......

RF モスフェット 28 V 1.4 A 871.5MHz ~ 891.5MHz 20dB 40W SOT502B...

MMBTA43LT1G高圧力mosfetのトランジスター、rf力mosfetのトランジスター 高圧トランジスターNPNのケイ素 発注情報 装置順序 数パッケージのタイプ 出荷の† MMBTA42LT1G SOT−23.........

ワイヤレス通信モジュール A5G35S004NT6 48V 24.5 dBm 航空速 RF パワー GaN トランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度9.........

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シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている:- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダ.......

VRF2933 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路VRF2933w 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力であるトランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。それは1つ......

2-18GHz Ku バンド通信モジュール PSat 50W Ldmos テクノロジーの線形 RF パワー増幅器 Dエスクリプション 2-18GHz Kuバンド RF パワーアンプは,特にKuバンドを標的にして2GHzから18GHzの周波数範囲内の信号を増幅するように設計されています. 周波.........

製品概要 900mhz 860-930MHZ 50Wモジュール ドローン対策モジュール パワーと周波数サポート 90MHZ- 5.8g,10W,20W,30W,40W,50w,100Wのカスタマイズ形式 --電源増幅器モジュールの無線周波数およびモニタリング技術指標は,.........

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz プッシュ・プル RF パワートランジスタ MOSFET 製造者: TT電子 製品カテゴリー: TT電子 ブランド: セメララボ / TT電子 D2085UKは28Vの電圧で動作し,120Wの出力に対応で.........

AFT05MS003NT1 MOSFETのトランジスターNチャネル500mV 30V RF力 AFT05MS003NT1、のRF MOSFETのトランジスター、N-Channel、- 500 mV、30ボルト、RF力MOSFET、1.8 MHzから941のMHz、20.8 dB、SOT-8.........

BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙 NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター 特徴 •低い消費電流 •高い発電の利益 •低雑音図 •高い転移の頻度 •金のメタライゼーションは保障します 優秀な信頼性 ......

製品説明: 超帯1000-2000MHz 47dBm ゲイン RF パワーアンプ モジュールは,様々な信号源アプリケーションの要求に応えるように設計されています.複数の周波数帯をサポートする1000MHz以上帯域幅 このアンプは高電源トランジスタ回路を搭載し 最大出力50Wを供給し プロジェ.........