補足のケイ素力トランジスターMosfet半導体MJ15025G
型式番号:MJ15025G
原産地:メキシコ
最低順序量:5pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:260pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
補足のケイ素力トランジスターMosfet半導体MJ15025G
PNPの− MJ15023、MJ15025*
ケイ素力トランジスター
MJ15023およびMJ15025は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用のために設計されているPowerBase力トランジスターである。
特徴
•高い安全運転区域（テストされる100%） −2 A @ 80ボルト
•高いDCの現在の利益−のhFE = 15 （分） @ IC = 8 Adc
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である
MJ1502x =デバイス・コード
x = 3か5
G = Pb−Freeのパッケージ
=アセンブリ位置
Y =年
WW =仕事週
MEX =生産国
発注情報
| 装置 | パッケージ | 船積み |
| MJ15023 | TO−204 | 100単位/皿 |
| MJ15023G | TO−204 （Pb−Free） | 100単位/皿 |
| MJ15025 | TO−204 | 100単位/皿 |
| MJ15025G | TO−204 （Pb−Free） | 100単位/皿 |
トランジスターのpowerhandling能力に2つの限定がある:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブはICが信頼できる操作のために観察されなければならないトランジスターの− VCE限ることを示す;すなわち、トランジスターはより大きい消滅にカーブが示すより服従してはならない。
図1のデータはTJ （pk）に= 200C基づいている;TCは条件によって可変的である。場合の高温で、熱限定は価値により少なく扱うことができる第2故障によって課された限定より力を減らす。
典型的な特徴
補足のケイ素力トランジスターMosfet半導体MJ15025G
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