単一STD3NK80Z-1電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs
部品番号:STD3NK80Z-1
製造業者:STMicroelectronics
記述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
部門:単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
家族:単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
シリーズ:SuperMESH™
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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内 16 時間
製品詳細
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製品詳細
STD3NK80Z-1指定
| 部分の状態 | 活動的 |
|---|---|
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 800V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 2.5A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4.5V @ 50µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 19nC @ 10V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 485pF @ 25V |
| Vgs （最高） | ±30V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 70W （Tc） |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 4.5オーム@ 1.25A、10V |
| 実用温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| タイプの取付け | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | 私朴 |
| パッケージ/場合 | TO-251-3不足分の鉛、IPak、TO-251AA |
| 郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
| 条件 | 新しい元の工場。 |
STD3NK80Z-1包装
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