強化のタイプMosfet Nチャネルのトランジスター45W 12.5V RA45H4045MR-101
型式番号:RA45H4045MR-101
原産地:JP
最低順序量:1 部分
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給の能力:1 年ごとの 10000 部分
受渡し時間:1-2 営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
R45H4045MR-101 400-450MHz 45W 12.5V、3はAmp.を上演します。移動式ラジオのため
記述
RA45H4045MRは- 450 MHz範囲へ… 400で作動する12.5ボルトの移動式ラジオのための45ワットRF MOSFETのアンプ モジュールです。電池は強化モードMOSFETのトランジスターの下水管に直接接続することができます。ゲートの電圧（VGG=0V）なしで、小さい漏出流れだけ下水管に流れ、RFの入力信号は60までdBを減少させます。ゲートの電圧として出力電力および下水管の現在の増加は増加します。大幅に4Vの（最低）、出力電力および下水管の現在の増加のまわりのゲートの電圧を使って。わずかな出力電力は4.5V （典型的な）および5V （最高）で利用できるようになります。VGG=5Vで、典型的なゲートの流れは1 mAです。このモジュールは非線形FM調節のために設計されていましたり、また線形調節にゲートの電圧の下水管の静止流れを置き、入力パワーとの出力電力を制御することによって使用するかもしれません。
特徴
1の強化モードMOSFETのトランジスター（IDD≅0 @ VDD=12.5V、VGG=0V）•Pout>45W、ηT>35% @ VDD=12.5V、VGG=5V、Pin=50mW
2の広帯域周波数範囲:400-450MHz•VGG=5Vのローパワー制御現在のIGG=1mA （typ）
3のモジュールのサイズ:66 x 21 X 9.88 mm
4の逆PINのタイプ•線形操作は静止下水管をゲートの電圧と現在置くことおよび入力パワーとの出力電力を制御することによって可能です
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| 部品番号 | MFG/BRAND | 部品番号 | MFG/BRAND | |
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| CS4206BCNZ | 毛状突起 | TK11891FTL-G | TOKO | |
| MM8430-2600RB3 | 村田 | SST25VF020-20-4I-SAE | マイクロチップ | |
| MAX7432EUD+ | 格言 | SII9181CNU | ケイ素 | |
| LP2992IM5-1.8 | NSC | RTL8411AA | REALTEK | |
| LM2439T | NS | MP8903DJ-3.3-LF-Z | MPS | |
| PE-53912T | 脈拍 | BD5245G-TR | ROHM | |
| MAX1887EEE | MAXIN | KRL1220D-C-R030-F-T1 | SUSUMU | |
| AL8806MP8-13 | ダイオード | ALC5611-GR | REALTEK | |
| 046802.5NRHF | LITTELFUS | 88F6282-A1-BKI2C160 | MARVELL | |
| ST72C334N2T6 | ST | ZJYS51R5-2PBT-01 | TDK | |
| PRN258 | CMD | TLP421 （GB | 東芝 | |
| LM4040A20IDBZRG4 | チタニウム | NTMS7N03R2 | ||
| W25Q32BVDAIG | WINBOND | MB39C307APVH-G-ERE1 | FUJ | |
| TOP249R | 力 | MAX16910CASA9/V+T | 格言 | |
| LH28F016SUT-70 | 鋭い | IP4252CZ8-4 | ||
| HX8347-H020PD250 | HIMAX | TK100E06N1 | 東芝 | |
| SE117 | SANKEN | TDA16846G | INFINEON | |
強化のタイプMosfet Nチャネルのトランジスター45W 12.5V RA45H4045MR-101
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