製品
サプライヤー
Sign in
Register
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Manufacturer from China
サイト会員
8 年
ホーム
製品カタログ
会社概要
品質管理
お問い合わせ
割当て要求
日本語
English
Français
Русский язык
Español
Português
集積回路ICの破片 (1016)
プログラム可能な IC の破片 (57)
電子 IC の破片 (139)
MCU のマイクロ制御回路単位 (56)
mosfet 力トランジスター (86)
一般目的のコンデンサー (48)
IGBT 電源モジュール (26)
力のリレー スイッチ (22)
フェライト・ビーズ誘導器 (14)
表面の台紙の発振器 (16)
ロッカー スイッチ部品 (6)
高出力 led チップ (6)
金属酸化物バリスター (4)
ホーム
/
製品
/
Mosfet Power Transistor
/
N- 穴TO-220AB IRF3205PBFを通してMosfet力トランジスター55V 110A 200Wを運んで下さい
/
show pictures
製品カテゴリ
集積回路ICの破片
[1016]
プログラム可能な IC の破片
[57]
電子 IC の破片
[139]
MCU のマイクロ制御回路単位
[56]
mosfet 力トランジスター
[86]
一般目的のコンデンサー
[48]
IGBT 電源モジュール
[26]
力のリレー スイッチ
[22]
フェライト・ビーズ誘導器
[14]
表面の台紙の発振器
[16]
ロッカー スイッチ部品
[6]
高出力 led チップ
[6]
金属酸化物バリスター
[4]
企業との接触
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
連絡窓口：
MrZhu
表示連絡先の詳細
企業との接触
N- 穴TO-220AB IRF3205PBFを通してMosfet力トランジスター55V 110A 200Wを運んで下さい
製品の詳細
穴TO-220ABを通したIRF3205PBFのN-Channel MOSFET 55V 110A 200W 記述 インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs 整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、 速い切り替え速度と結合され...
製品詳細図 →
商品のタグ：
p55nfo パワーモスフェット
ゼナースイッチダイオードダイアック
n チャンネル パワー モスフェット
