SBD MOS装置のための4H-N 4inch 6inch Sicのウエファーの半導体材料
型式番号:4h-n
原産地:中国
最低順序量:3個
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:1000PC/月
受渡し時間:1-4weeks
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Shanghai Shanghai China
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細
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製品詳細
4inch 6inch 4H-N sicのウエファーのSBD MOS装置のための模造の主な生産の等級
1. 第三世代の半導体材料の比較
SiCの水晶はローパワーで大きい利点がある第三世代の半導体材料、小型化の、高圧および高周波適用シナリオである。第三世代の半導体材料は炭化ケイ素およびガリウム窒化物によって表される。半導体材料の前の2匹の生成と比較されて、最も大きい利点はより高い電界強さを突き通すことができる保障し、高圧および高周波力装置を準備するために適していることを広いバンドなしの幅である。
2. 分類
炭化ケイ素SiCの基質は2つの部門に分けることができる:高い抵抗（resistorivity ≥107Ωの半絶縁された（高い純度非dopendおよびV添加された4H-SEMI）炭化ケイ素の基質·cm）、および低い抵抗の伝導性の炭化ケイ素の基質（抵抗の範囲は15-30mΩである·cm）。
2. 6inch 4H-N sicのウエファーのための指定。（2inch、3inch 4inchの8inch sicのウエファーはまた利用できる）
| 等級 | ゼロMPDの生産 等級（Zの等級） | 標準生産の等級（Pの等級） | 模造の等級 （Dの等級） | |
| 99.5 mm~100.0 mm | ||||
| 4H-N | 350 μm±20 μm | 350 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | ||
| ウエファーのオリエンテーション | ||||
| Micropipe密度 | 4H-N | ≤0.5cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤15 cm-2 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | |
| ※の抵抗 | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
| 第一次平らなオリエンテーション | {10-10} ±5.0° | |||
| 第一次平らな長さ | 32.5 mm±2.0 mm | |||
| 二次平らな長さ | 18.0 mm±2.0 mm | |||
| 二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90°CW.主で平らな±5.0°から | |||
| 端の排除 | 3つのmm | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
※の荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | |||
高輝度ライトで端のひび
| どれも | 累積長さの≤ 10のmm、単一length≤2 mm | ||
| 高輝度ライトによる六角形の版 | 累積区域≤0.05% | 累積区域≤0.1% | ||
| 高輝度ライトによるPolytype区域 | どれも | 累積area≤3% | ||
| 視覚カーボン包含 | 累積区域≤0.05% | 累積区域≤3% | ||
高輝度ライトによるケイ素の表面の傷 | どれも | 累積『gth≤1×waferの直径をlen | ||
| 端は強度ライトによって高く欠ける | どれも≥0.2 mmの幅および深さを割り当てなかった | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | ||
高輝度によるケイ素の表面汚染 | どれも | |||
| 複数のウエファー カセットか単一のウエファーの容器 | ||||
| 6inch NタイプSiCの基質の指定 | ||||
| 特性 | P-MOSの等級 | P-SBDの等級 | Dの等級 | |
| 水晶指定 | ||||
| 結晶形 | 4H | |||
| Polytype区域 | どれも割り当てなかった | Area≤5% | ||
| （MPD） a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 | |
| 六角形の版 | どれも割り当てなかった | Area≤5% | ||
| 六角形のPolycrystal | どれも割り当てなかった | |||
| 包含a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A | |
| 抵抗 | 0.015Ω•cm0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm0.028Ω•cm | |
| （EPD） a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A | |
| （テッド） a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A | |
| （BPD） a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A | |
| （TSD） a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A | |
| （積み重ね欠陥） | ≤0.5%区域 | ≤1%区域 | N/A | |
| 表面の金属汚染 | （Al、Cr、Fe、NIのCU、Zn、Pb、Na、Kのチタニウム、カリフォルニア、V、Mn） ≤1E11 cm-2 | |||
| 機械指定 | ||||
| 直径 | 150.0 mm +0mm/-0.2mm | |||
| 表面のオリエンテーション | Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5° | |||
| 第一次平らな長さ | ± 47.5 mmの1.5 mm | |||
| 二次平らな長さ | 二次平たい箱無し | |||
| 第一次平らなオリエンテーション | <11-20>±1° | |||
| 二次平らなオリエンテーション | N/A | |||
| 直角Misorientation | ±5.0° | |||
| 表面の終わり | C表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP | |||
| ウエファーの端 | 斜角が付くこと | |||
| 表面の粗さ （10μm×10μm） | Siの表面Ra≤0.20 nm;Cの表面Ra≤0.50 nm | |||
| 厚さa | 350.0μm± 25.0 μm | |||
| LTV （10mm×10mm） a | ≤2μm | ≤3μm | ||
| （TTV） a | ≤6μm | ≤10μm | ||
| （弓） a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | |
| （ゆがみ） a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm | |
| 表面の指定 | ||||
| 破片/刻み目 | どれも≥0.5mmの幅および深さを割り当てなかった | Qty.2 ≤1.0 mmの幅および深さ | ||
| 傷a （Siの表面、CS8520） | ≤5および累積Length≤0.5×Waferの直径 | ≤5および累積Length≤1.5×のウエファーの直径 | ||
| TUA （2mm*2mm） | ≥98% | ≥95% | N/A | |
| ひび | どれも割り当てなかった | |||
| 汚染 | どれも割り当てなかった | |||
| 端の排除 | 3mm | |||
2. 産業鎖
炭化ケイ素SiCの産業鎖は基質の物質的な準備、エピタキシアル層の成長、装置製造業および下流の適用に分けられる。炭化ケイ素のモノクリスタルは通常物理的な蒸気伝達（PVT方法）によって準備され、それからエピタキシアル シートは化学気相堆積（CVD方法）によって基質で発生し、関連した装置は最終的になされる。基質の製造技術の難しさによるSiC装置の産業鎖では産業鎖の価値は上流の基質リンクに主に集中される。
ZMSHの技術はバッチのsemi-insulatingおよびHPSI （Semi-insulating高い純度） SiCの基質輸入された国内良質の伝導性、2-6inchを顧客に与えることができる;さらに、それは同質な、異質炭化ケイ素エピタキシアル シートを顧客に与えまた顧客の特定の必要性に従って最低順序量無しで、カスタマイズすることができる。
SBD MOS装置のための4H-N 4inch 6inch Sicのウエファーの半導体材料
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