製品説明: Silicon Carbide MOSFET is a type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) that has been developed to optimize the perform......
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耐久性シリコンカービッド半導体 高性能トランジスタ SiC MOS 多機能 製品説明: 抵抗が低いため,シリコンカービッドMOSFETはより高い周波数でより少ない電力損失で動作することができ,効率が向上します.これは,高出力が必要とするアプリケーションのための理想的な選択です電気自動車や工.........
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製品説明 シリコンカービッド半導体装置 多晶形 4H 6H 3C カスタムサイズ 5G通信チップ シリコンカービッドチップは,シリコンカービッド (SiC) 材料で作られた半導体装置である.高温で優れた性能を示すために,シリコンカービッドの優れた物理的および化学的特性を利用高圧および高周波環境.........
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SiC エピタキシアル・ウェーファー シリコンカービッド 4H 4インチ 6インチ 高耐性半導体産業 記述 SiC エピタキシアル・ウェーファー: シリコンカービッドエピタキシは,炭素とシリコン元素 (ドーピング因子を除く) で構成された化合物半導体材料である.シリコンカービッド (SiC) 表........
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製品説明: シリコンカービッド・ウエファーボート (シリコンカービッド・ウエファーボート) は,シリコンカービッドで作られたウエファー用のウエファー栽培装置である 材料は,ウエーファー用のウエーファー栽培装置は,生物学と半導体分野における主要な材料です. 質と性能が直接的にウェファーの質と成長効........
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シリコンナイトリド結合シリコンカービッド製品 (NSiC)NSiCシリコンナイトリド結合シリコンカービッド製品は,高純度シリコンカービードとシリコン粉末を鋳造して,窒化作用でシンターで作られる構造陶器材料の一種である. NSiCシリコンナイトリド結合シリコンカービッド製品には薄壁のバット,チューブ,......
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半導体として炭化ケイ素 炭化ケイ素の焼結炉によって作り出される半導体のトランジスターおよびMOSFETs ほぼあらゆる電子項目遭遇日常的に半導体を含んでいる。彼らはサーバー農場および太陽光線を集めるためのアンテナのような高い発電の適用へのあなたのsmartphoneかタブレットからのすべてに、ある。 ......
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半導体級 シリコンカービッド ポリ結晶粉 99.9999% 6n Sic シリコンカービッドとフェロシリコンの違いは? フェロシリコンとシリコンカービッドのメーカーとして ゼーンアンがフェロシリコンとシリコンカービッドの違いを紹介します まず,フェロシリコンは,シリコンと鉄の合金で,シリコン.........
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高い耐火性の酸化物は処理し難い炭化ケイ素炉の棚を結びました 1. 導入 炭化ケイ素(SiC)装置はいわゆる広いバンド ギャップの半導体のグループに属します。それらは一般的なケイ素(Si)と比較されたとき高圧力の半導体のためのいくつかの魅力的な特徴を提供します。特に、SiCの大いにより高い故障.........
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石工業用シリコンカービッドミクロン粉末 黒 石工工業用マイクロ硬さ Hv3100-3280 製品説明 ブラック・シリコン・カービッド 天然モイサナイトの希少性により,ほとんどのシリコンカービードは合成である.これは磨材として使用され,最近は宝石品質の半導体およびダイヤモンドシミュレン.........
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先進的な陶器材料の代表としてシリカ精密セラミックは,独自の光学特性 (光伝達率95%以上) で,複数のハイテク分野における材料応用基準を再定義しています極低熱膨張系数 (0.5×10−6/°C) と優れた介電性特性 (介電常数3.9). 要求の高い光学レンズ,半導体製造機器など,高温環境に.........
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炭化ケイ素シリンダー、強い腐食、粒子の腐食、 パイプラインの高温状態 炭化ケイ素シリンダーの導入 炭化ケイ素シリンダーは圧力なしの直接に地殻均衡押すことそして焼結によって形作られる。内部の端は設計の品質に従って製造し内部および外の直径および端の表面はユーザーの異なった設計の品質を満たすシール溝である......
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標準外タイプのカスタマイズされた炭化ケイ素のボール ベアリング なぜ私達を選びなさいか: 私達の会社は陶磁器の転がり軸受けおよび陶磁器の球の生産でspeciallizing。私達の大量生産のタイプ608に加えて、私達の会社はユーザーの異なった必要性に従って、習慣作るすべての精密レベ.........
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製品概要 シリコンカービッドグラフィット・クレージュブルは 優れた熱伝導性 優れた耐久性 極端な温度への耐久性を 要求する産業向けに設計されています1600°C (2912°F) までの温度に耐えるように設計された溶融,鋳造,精製のプロセスに最適です 金属工学,半導体製造,太陽光発電,実験室.........
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炭化ケイ素(SiC)トレイまたはプレート、LED業界のICPエッチングプロセス用ウェーハホルダーとして 説明: LED業界のICPエッチングプロセス用ウェーハホルダーとして使用される炭化ケイ素(SiC)トレイまたはプレート。 炭化ケイ素(SiC)は、優れた熱伝導性、耐食性、低い.........
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微電子半導体のためのシリコンカービッドシード結晶薄膜の超音波コーティング 記述: Micro electronic semiconductor silicon carbide seed crystal thin film ultrasonic coating is an emerging.........
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85% SiC シリコンカービッド レンガ 1600C カーボリンダム レンガ 高強度 シリコンカービッドレンガは,主要原料としてシリコンカービッドで作られた耐火性製品であり,シリコンカービッドの含有量は72~99%です. 一般的には,黒いシリコンカービード (96%以上のSIC含有量) が原料........
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発電所 に 広く 用い られ て いる シリコン カービッド レンガ シリコンカービッドパイプは,火熱性パイプファミリーに属するシリコンセラミックパイプとしても知られています.このタイプのパイプは粘土結合シリコンカービッド材料で作られています.耐磨性が良い耐熱性,耐腐蝕性,高温性能. シリコンカ........
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ED型 シリコンカービッド棒 従来の加熱要素と比較して,ED型シリコンカービッド棒は多くの顕著な利点を持っています.まず,材料に関しては,ED型シリコンカービッド棒は主にシリコンカービッドで作られており,他の要素は異なる材料を使用することがあります.これは,シリコンカービッド棒が高温耐性において優.......
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