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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料
60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料
  • 60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料
製品の詳細
60V NチャネルAlphaSGT HXY4264 プロダクト概要 VDS 60V ID （VGS=10Vで） 13.5A RDS （） （VGS=10Vで） < 9=""> RDS （） （VGS=4.5Vで） < 13=""> 概説 堀力のAlphaSGTTMの技術 低いRDS（） 低いゲート充...
製品詳細図 →
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増強型モスフェット inp半導体 pタイプ半導体

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