シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
正会員
6 年
ホーム / 製品 / Silicon Power Transistor /

BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター

企業との接触
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
企業との接触

BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :BAV19W~BAV21W
タイプ :切換えDIODESOD
フィーチャー :速い切り替え速度
力 Mosfet のトランジスター :SOD-123プラスチックEncapsulateDiodes
保存温度 :-55~+150℃
プロダクト ID :BAV19W~BAV21W
ピーク脈拍の流れ :図2A
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

BAV19W~BAV21W SWITCHINGDIODESOD-123の芝地123Plastic EncapsulateDiodes


 

特徴
 
低い逆の流れ
理想的に自動挿入に適する表面の台紙のパッケージ
速い切り替え速度 
一般目的の切換えの適用のため

印が付いていること 

 

印のbarindiのcates陰極 

固体は形成の混合装置をdot=Green、

ifnone、thenormal装置。

BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター

 

 

 

最高の評価(通知がなければTa=25℃)
 

 BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
 
電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)
 

 
BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター


 
 
 
典型的なCharacterisitics  
 BAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスターBAV19W~BAV21Wの電界効果トランジスタ、高周波トランジスター
 




 
 
 
 
 
 
 パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 0.900 1.150 0.035 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 0.900 1.050 0.035 0.041
b 0.300 0.500 0.012 0.020
c 0.080 0.150 0.003 0.006
D 2.800 3.000 0.110 0.118
E 1.200 1.400 0.047 0.055
E1 2.250 2.550 0.089 0.100
e 0.950 TYP 0.037 TYP
e1 1.800 2.000 0.071 0.079
L 0.550 REF 0.022 REF
L1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ

 
 



 
 
 
 

お問い合わせカート 0