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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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TO-251-3Lの先端力トランジスターB772M PNP VCEO -30Vケイ素材料
TO-251-3Lの先端力トランジスターB772M PNP VCEO -30Vケイ素材料
  • TO-251-3Lの先端力トランジスターB772M PNP VCEO -30Vケイ素材料
製品の詳細
TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターB772Mトランジスター（PNP）を 特徴 低速切換え 最高の評価（通知がなければT =25 Š） 記号 変数 価値 単位 VCBO コレクター基盤の電圧 -40 V VCEO コレクター エミッターの電圧 -30 V VEBO エミッ...
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ソト223 モスフェット nxpの半導体 共通アノード7セグメント

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