シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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TO-251-3Lの先端力トランジスターB772M PNP VCEO -30Vケイ素材料

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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TO-251-3Lの先端力トランジスターB772M PNP VCEO -30Vケイ素材料

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原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :B772M
VCBO :-40v
VCEO :-30V
保存温度 :-55-150℃
力 Mosfet のトランジスター :TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めます
材質 :シリコン
タイプ :三極管のトランジスター
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TO-251-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターB772Mトランジスター(PNP)を

 

 

特徴

 

低速切換え

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)
 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 -40 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 -30 V
VEBO エミッター基盤の電圧 -6 V
IC 連続的なコレクター流れ- -3 A
PC コレクターの電力損失 1.25 W
RӨJA 熱抵抗、包囲されたへの接続点 100 ℃/W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55-150

 
 
 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC=-100μA、すなわち=0 -40     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC= -10MA、IB=0 -30     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= -100ΜA、IC=0 -6     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB= -40V、すなわち=0     -1 μA
コレクタ遮断電流 ICEO VCE=-30V、IB=0     -10 μA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB=-6V、IC=0     -1 μA
DCの現在の利益 hFE VCE= -2V、IC= -1A 60   400  
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC=-2A、IB= -0.2A     -0.5 V
基盤エミッターの飽和電圧 VBE (坐る) IC=-2A、IB= -0.2A     -1.5 V

 

転移の頻度

fT

VCE= -5V、IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランク R O Y GR
範囲 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


典型的な特徴

 

 
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記号 ミリメートルの次元 インチの次元
最少。 最高。 最少。 最高。
A 2.200 2.380 0.087 0.094
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
B 0.800 1.400 0.031 0.055
b 0.710 0.810 0.028 0.032
c 0.460 0.560 0.018 0.022
c1 0.460 0.560 0.018 0.022
D 6.500 6.700 0.256 0.264
D1 5.130 5.460 0.202 0.215
E 6.000 6.200 0.236 0.244
e 2.286 TYP。 0.090 TYP。
e1 4.327 4.727 0.170 0.186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9.800 10.400 0.386 0.409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1.400 1.700 0.055 0.067
V 4.830参考。 0.190参考。
ĭ 1.100 1.300 0.043 0.0±1

 

 

 

TO-251-3Lの先端力トランジスターB772M PNP VCEO -30Vケイ素材料

 

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