HAOXIN HK ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LIMITED

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分離した半導体デバイス

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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 分離した半導体デバイス

MBRM140T1G/ねじ台紙/onsemi/PowerMITE/単一

MBRM140T1G/ねじ台紙/onsemi/PowerMITE/単一 ショットキーPOWERMITEは最適前方電圧drop−reverseの現在のトレードオフを作り出す障壁の金属およびエピタキシアル構造とのショットキー障壁の主義を用いる。高度の包装の技術は非常に能率的なマイクロ ミニチュア、ス....
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SUD50P06-15-GE3/TRANS MOSFET P-CH 60V 50A 3 Pin (2+Tab) DPAK

SUD50P06-15-GE3/TRANS MOSFET P-CH 60V 50A 3 Pin (2+Tab) DPAK 注: a. 脈拍テスト;脈拍幅 ≤ 300のμs、使用率 ≤ 2%。 b. 意図的に保証される、ないs 生産のテストへのubject。 c. 実用温度の独......
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STH315N10F7-2/TO-263-3/MOSFETs

STH315N10F7-2/TO-263-3/MOSFETs これらのN-channel力のMOSFETsは非常に低いオン州の抵抗で起因する高められた堀のゲートの構造とのSTripFET F7の技術を利用する、またより速く、より有効な切換えのための内部キャパシタンスおよびゲート充満を減らして......
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CSD19538Q3A/MOSFET 100-V/NチャネルのNexFET力MOSFET

CSD19538Q3A/MOSFET 100-V/NチャネルのNexFET力MOSFET 適用 •イーサネット(PoE)上の力 •力の調達装置(PSE) •運動制御3 記述 この100-V、49-mΩ、息子3.3 mmの× 3.3 mm Ne......
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CSD17578Q3AT/SMD/SMT/テキサス・インスツルメント/VSONP-8/MOSFETs

CSD17578Q3AT/SMD/SMT/テキサス・インスツルメント/VSONP-8/MOSFETs 次のリンクはチタニウムのコミュニティ資源に接続する。つながれた内容はそれぞれによって「現状のまま」として提供される貢献者。彼らはチタニウムの指定を構成しないし、必ずしもチタニウムの意見を反映しない....
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DP83848IVVX/NOPB/イーサネットIC SGL港10/100 Mb/sのトランシーバー

DP83848IVVX/NOPB/イーサネットIC SGL港10/100 Mb/sのトランシーバー イーサネット結合性を要求する適用の数はより粗い環境に増加し続けイーサネットを可能にした装置を運転する。 DP83848C/I/VYB/YBは典型的な産業温度較差を越えて行く延長温度の性......
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DP83848IVVX/NOPB/イーサネットIC SGL港10/100 Mb/sのトランシーバー

DP83848IVVX/NOPB/イーサネットIC SGL港10/100 Mb/sのトランシーバー イーサネット結合性を要求する適用の数はより粗い環境に増加し続けイーサネットを可能にした装置を運転する。 DP83848C/I/VYB/YBは典型的な産業温度較差を越えて......
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TLK106LRHBT/イーサネットIC Ind臨時雇用者SGLの港10/100Mbs

TLK106LRHBT/イーサネットIC Ind臨時雇用者SGLの港10/100Mbs TLK10xLは10Base-Tのための単一港のイーサネットPHYであり、すべての物理層機能を統合する100Base TXシグナリングは標準的なツイストペア・ケーブルのデータを送受信する必要があっ......
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DP83620SQ/NOPB/イーサネットIC産業温度

DP83620SQ/NOPB/イーサネットIC産業温度 適用 •工場自動化 •概要の埋め込まれた適用 製品特質 属性値 製造業者: テキサス・インスツルメント 製品カテゴリ: イーサネットIC......
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ADS131A04IPBSR/アナログの前部分

ADS131A04IPBSR/アナログの前部分 特徴 •2つか4つの同時見本抽出の差動入力 •データ転送速度の128までkSPS •高性能: –単一チャネルの正確さ:10,000:1のダイナミック レンジのよくより0.1% –有効な決断:8 kSPSの20.6ビット – THD:......
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