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STH315N10F7-2/TO-263-3/MOSFETs
これらのN-channel力のMOSFETsは非常に低いオン州の抵抗で起因する高められた堀のゲートの構造とのSTripFET F7の技術を利用する、またより速く、より有効な切換えのための内部キャパシタンスおよびゲート充満を減らしている間。
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| 製品カテゴリ: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| H2PAK-2 | |
| N-Channel | |
| 1つのチャネル | |
| 100ボルト | |
| 180 A | |
| 2.3のmOhms | |
| - 20ボルト、+ 20ボルト | |
| 3.5 V | |
| 180 NC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 315 W | |
| 強化 | |
| AEC-Q101 | |
| STripFET | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | STMicroelectronics |
| 構成: | 単一 |
| 落下時間: | 40 ns |
| 製品タイプ: | MOSFET |
| 上昇時間: | 108 ns |
| シリーズ: | STH315N10F7-2 |
| 工場パックの量: | 1000 |
| 下位範疇: | MOSFETs |
| トランジスター タイプ: | 1つのN-Channel |
| 典型的なTurn-Off遅れ時間: | 148 ns |
| 典型的なTurn-On遅れ時間: | 62 ns |
| 単位重量: | 0.139332 oz |