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IGBT力トランジスター

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 IGBT力トランジスター
China STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスターIGBTトランジスター650V 80A 469Wを絶縁した for sale

STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスターIGBTトランジスター650V 80A 469Wを絶縁した

STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスター650V 80A 469W IGBTトランジスターを絶縁した 適用 •光起電インバーター •高周波コンバーター 指定 製品特質 属性値 製造業者: STMicroelectronics......
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China PS21765 Ipm理性的な力モジュール20A 600V DIP-IPMの小さい運動制御 for sale

PS21765 Ipm理性的な力モジュール20A 600V DIP-IPMの小さい運動制御

PS21765理性的な力モジュール力モジュール20A 600V DIP-IPMの小さい運動制御適用 ►冷却装置►エアコン►小さいサーボ モーター►£の小さい運動制御指定PS21765Intellimod™モジュールDual-In-Line理性的な力モジュール20のAmperes/600ボルトPowe...
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China 穴を通したFGH20N60SFDの視野絞りIGBT力トランジスター600V 20A 165W for sale

穴を通したFGH20N60SFDの視野絞りIGBT力トランジスター600V 20A 165W

穴を通したFGH20N60SFD IGBT力トランジスター600V 20A視野絞り165W 記述新しい視野絞りIGBTの技術を使用して、オン・セミコンダクターの視野絞りIGBTsの新シリーズは提供する 自動車充電器、インバーターおよび他の適用のための最適性能低い伝導 そして転換の損失は必要であ......
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China FGH40N60SFD IGBT力トランジスター600V 40A視野絞りのトランジスターTO-247-3 290W for sale

FGH40N60SFD IGBT力トランジスター600V 40A視野絞りのトランジスターTO-247-3 290W

FGH40N60SFD Igbtのトランジスター600V 40A視野絞りのトランジスターTO-247-3 290W 記述 新しい視野絞りIGBTの技術を使用して、オン・セミコンダクターの視野絞りのIGBTsの提供の新シリーズ 自動車充電器、インバーターおよび他の適用のための最適性能低い伝導......
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China FGA25N120ANTD力の切換えIGBT力トランジスター1200V 40A 310W TO3P for sale

FGA25N120ANTD力の切換えIGBT力トランジスター1200V 40A 310W TO3P

FGA25N120ANTD力の切換えIGBT 1200V 40A 310W TO3Pの高速切換え 記述 NPTの技術を用いて、IGBTsはのフェアチャイルドそして一連低い伝導および転換の損失を提供する。 そしてシリーズ誘導加熱（IH）のような適用のための解決を、一般的な運動制御提供する 目的......
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China FDA50N50高圧Mosfetのトランジスター48A 500V DMOS AC−DC電源のトランジスター for sale

FDA50N50高圧Mosfetのトランジスター48A 500V DMOS AC−DC電源のトランジスター

FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う......
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China UFDシリーズIGBT力トランジスターSGL160N60UFD 600V 160A 250W for sale

UFDシリーズIGBT力トランジスターSGL160N60UFD 600V 160A 250W

IGBT力トランジスターSGL160N60UFD 600V 160A 250W UFDシリーズ ゲートの両極トランジスター 記述 フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター（IGBTs）は低い伝導を提供する 転換の損失。UFDシリーズは運動制御および大将のよう......
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China 高い険しさIGBT力トランジスターIKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A for sale

高い険しさIGBT力トランジスターIKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A

IKW25N120T2,1200 V、25 TO-247パッケージのanti-parallelダイオードと分離したIGBT 絶縁されたゲートの両極トランジスターIKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A Igbtトランジスター 記述 1200ボルト、25 TO-247パッ......
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China 低損失IGBT力トランジスターIKW20N60T 600V 20A 166W Trenchstop IGBT3 for sale

低損失IGBT力トランジスターIKW20N60T 600V 20A 166W Trenchstop IGBT3

IKW20N60T IGBTのトランジスターIKW20N60T 600V 20A 166W低損失IGBT力トランジスター 記述 低損失のDuoPack:TRENCHSTOP™のIGBTおよび柔らかく、速い回復のFieldstopの技術 anti-parallelエミッターは彼をダイオード制......
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China IXFH160N15T2 Mosfet力トランジスター160A 150V 880W NチャネルTrenchT2 for sale

IXFH160N15T2 Mosfet力トランジスター160A 150V 880W NチャネルTrenchT2

Mosfet力トランジスターIXFH160N15T2 160A 150V 880W N-Channel TrenchT2 記述 DCの充電ステーションはできるDC電源に電気格子の交流電力を変えるように設計されている そして速い充満のための車の電池システムに与えられるため直接– 30分または......
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