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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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IGBT Power Transistor
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IXFH160N15T2 Mosfet力トランジスター160A 150V 880W NチャネルTrenchT2
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集積回路ICの破片
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プログラム可能なICの破片
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IGBT力トランジスター
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[28]
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[10]
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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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IXFH160N15T2 Mosfet力トランジスター160A 150V 880W NチャネルTrenchT2
製品の詳細
Mosfet力トランジスターIXFH160N15T2 160A 150V 880W N-Channel TrenchT2 記述 DCの充電ステーションはできるDC電源に電気格子の交流電力を変えるように設計されている そして速い充満のための車の電池システムに与えられるため直接– 30分またはより少しの...
製品詳細図 →
商品のタグ：
アスメッドダイオード 808nm
モスフェット200a
6a10 ダイオード
