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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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IGBT Power Transistor
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穴を通したFGH20N60SFDの視野絞りIGBT力トランジスター600V 20A 165W
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集積回路ICの破片
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プログラム可能なICの破片
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IGBT力トランジスター
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力によって導かれる運転者IC
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センサーIC
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[10]
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穴を通したFGH20N60SFDの視野絞りIGBT力トランジスター600V 20A 165W
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穴を通したFGH20N60SFD IGBT力トランジスター600V 20A視野絞り165W 記述 新しい視野絞りIGBTの技術を使用して、オン・セミコンダクターの視野絞りIGBTsの新シリーズは提供する 自動車充電器、インバーターおよび他の適用のための最適性能低い伝導 そして転換の損失は必要である ...
製品詳細図 →
商品のタグ:
ダイオードブリッジ ic
ダーリントン NPN パワートランジスタ
smd スイッチダイオード