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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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W29N01HVSINA否定論履積のフラッシュ・メモリIC ECC 1Gbit 2.7Vへの3.6V 35mA 128M x 8 TSOP-48
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集積回路ICの破片
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IGBT力トランジスター
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Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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W29N01HVSINA否定論履積のフラッシュ・メモリIC ECC 1Gbit 2.7Vへの3.6V 35mA 128M x 8 TSOP-48
製品の詳細
W29N01HVSINA否定論履積のフラッシュ・メモリECC 1Gbit 2.7Vへの3.6V 35mA 128M x 8 TSOP-48 指定 製品特質 属性値 様式の取付け: SMD/SMT 記憶容量: 1 Gbit 構成: 128のM X 8 データ・バス幅: 8ビット 供給電圧-分: 2.7 ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
pc133ラム
pc2 4200ラム
馬力パビリオンのラム
