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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。

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GaN IC

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 GaN IC
China NV6127 GaN IC 650V 12A 電源分配スイッチ、30-QFNパッケージ、急速充電アプリケーション向け for sale

NV6127 GaN IC 650V 12A 電源分配スイッチ、30-QFNパッケージ、急速充電アプリケーション向け

NV6127 GaN IC 650V 12A 電源配送スイッチ IC NV6127 GaN IC 650V 12A 電源配送スイッチ IC 30-QFN GaNFast Power ICは,高速充電アプリケーションおよび高性能電力システムのために設計されています. 製品概要 NV6127は,人気.....
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China NV6128速い充満破片20A 70mOhm力管理集積回路 for sale

NV6128速い充満破片20A 70mOhm力管理集積回路

力管理IC NV6128 650V GaNFast力IC 20A 70mOhm QFN30 製品の説明 NV6128は高周波およびソフト切換えの地勢学のために最大限に活用される普及した650ボルトGaNFast™力ICの熱高められた版である。FET、ドライブおよび論理の単一統合は使いやすい......
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China NV6125速い充満破片650V 8A QFN30力管理IC for sale

NV6125速い充満破片650V 8A QFN30力管理IC

速い充満破片NV6125 650V GaNFas力IC 8A QFN30力管理IC 製品の説明 NV6125は最大限に活用されるCSの抵抗器を高周波およびソフト切換えの地勢学のために使用するとき普及したNV6115 650 V GaNFast™力ICの単一統合されたゲート ドライブ、高めら......
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China NV6123速い充満破片のGaNFast力IC 650Vの負荷運転者IC QFN30スイッチ for sale

NV6123速い充満破片のGaNFast力IC 650Vの負荷運転者IC QFN30スイッチ

GaNFast力IC NV6123 650Vの負荷運転者IC 300mOhm QFN30の電力配分スイッチ 製品の説明 NV6123は普及したNV6113 650 V GaNFast™力ICのFETのドライブの単一統合の熱高められた版であり、論理は使いやすい『デジタルを、力の』高性能のpo......
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China QFN8速い充満破片NV6113 GaNFast力IC 5A 300mOhmの電源スイッチIC for sale

QFN8速い充満破片NV6113 GaNFast力IC 5A 300mOhmの電源スイッチIC

速い充満破片NV6113 GaNFast力IC QFN8 5A 300mOhmの電源スイッチIC 製品の説明 NV6113は高周波、ソフト切換えの地勢学のためにGaNFast力IC最大限に活用されるである。最も高いdV/dtの免除、高速統合されたドライブおよび業界標準の控えめの、low-i......
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China IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fetのトランジスター14mohm SiC堀MOSFET TO247 for sale

IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fetのトランジスター14mohm SiC堀MOSFET TO247

トランジスターIMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC堀MOSFET TO247のパッケージ 記述 CoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-4パッケージの造りの14のmΩ SiC M......
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China LMG3425R030RQZR Gan Fetのゲートの運転者VQFN54は橋Ganの半分運転者を統合した for sale

LMG3425R030RQZR Gan Fetのゲートの運転者VQFN54は橋Ganの半分運転者を統合した

統合された運転者および理想的なダイオード モードVQFN54のゲートの運転者LMG3425R030RQZR GaN FET 記述 統合された運転者および保護のLMG342xR030 GaN FETはデザイナーがパワー エレクトロニクス システムの出力密度そして効率の新しいレベルを達成するこ......
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China MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR半分橋運転者一般目的VQFN54 for sale

MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR半分橋運転者一般目的VQFN54

GaN IC LMG3422R050RQZR半分橋運転者一般目的MOSFET VQFN54 指定 プロダクト状態 活動的 出力環境設定 半分橋
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China 統合されるLMG3425R050RQZR Gan Mosfetの運転者のケイ素の運転者のGan Fetの運転者 for sale

統合されるLMG3425R050RQZR Gan Mosfetの運転者のケイ素の運転者のGan Fetの運転者

統合された運転者が付いているケイ素の運転者LMG3425R050RQZRのゲートの運転者のGaN FET 記述 LMG3425R050RQZRは150 V/nsに転換をスピードをあげる可能にするケイ素の運転者を統合する。チタニウムの分離したケイ素 ゲートの運転者と比較されるより高い切換えS......
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China LMG3411R150RWHR Ganの運転者IC 6A VQFN32の電力配分スイッチIC Nチャネル for sale

LMG3411R150RWHR Ganの運転者IC 6A VQFN32の電力配分スイッチIC Nチャネル

負荷運転者LMG3411R150RWHRの電力配分はNチャネル6A VQFN32を転換する 記述 統合された運転者および保護のLMG3411R150RWHR GaN FETはデザイナーがパワー エレクトロニクス システムの出力密度そして効率の新しいレベルを達成することを可能にする。ケイ素の......
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