ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。

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NV6123速い充満破片のGaNFast力IC 650Vの負荷運転者IC QFN30スイッチ

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NV6123速い充満破片のGaNFast力IC 650Vの負荷運転者IC QFN30スイッチ

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型式番号 :NV6123
原産地 :CN
最小注文数量 :10
支払い条件 :L/C、T/T、ウェスタン・ユニオン
納期 :5-8の仕事日
包装の細部 :30-QFN
部品番号 :NV6123
出力タイプ :N-Channel
インターフェイス :PWM
実用温度(最高) :125°C (TC)
実用温度(分) :-40°C (TC)
出力環境設定 :高い側面か低い側面
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GaNFast力IC NV6123 650Vの負荷運転者IC 300mOhm QFN30の電力配分スイッチ

 

製品の説明

NV6123は普及したNV6113 650 V GaNFast™力ICのFETのドライブの単一統合の熱高められた版であり、論理は使いやすい『デジタルを、力の』高性能のpowertrainのブロック作成し、世界で最も速いの、最も小さい、ほとんどの有効な統合されたpowertrain作成することをデザイナーが可能にする。

 

NV6125の指定

スイッチ タイプ
一般目的
出力の数
1
入る比率-:出力
1:1
入れられたタイプ
非逆になること
出力タイプ
N-Channel
インターフェイス
PWM
電圧-負荷
650V
電圧-供給(Vcc/Vdd)
10V | 24V
現在-出力(最高)
5A
Rdsの(タイプ)
300mOhm
出力環境設定
高い側面か低い側面


内部設計図

NV6123速い充満破片のGaNFast力IC 650Vの負荷運転者IC QFN30スイッチ

 

特徴

  • NV6115の熱高められた版
  • 大きい冷却のパッド
  • 2つのMHz操作
  • CSの抵抗器を使用する場合の高められた上昇温暖気流
  • プログラム可能なturn-on dV/dt
  • 小さく、控えめなSMT QFN
  • 6つx 8つのmmの足跡、0.85 mmのプロフィール
  • 最小にされたパッケージ インダクタンス
  • 低く175のmΩの抵抗
  • 広くVCC範囲(10への30 V)
  • ゼロ逆の回復充満
  • ESDの保護– 2つのkV (HBM)、1つのkV (CDM)
  • 単一統合されたゲート ドライブ

 

NV6123速い充満破片のGaNFast力IC 650Vの負荷運転者IC QFN30スイッチ

 

FAQ
Q.あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

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