ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

シンセンMingjiadaの電子工学Co.、株式会社。

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メモリー チップS70KS1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC 24-VBGA IC破片

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メモリー チップS70KS1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC 24-VBGA IC破片

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型式番号 :S70KS1283GABHV023
原産地 :CN
最低順序量 :10
支払の言葉 :T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間 :5-8の仕事日
包装の細部 :24-FBGA (6x8)
部品番号 :S70KS1283GABHV023
実用温度(最高) :105 °C
実用温度(分) :-40 °C
ピーク退潮の臨時雇用者 :260 °C
最高のアクセス時間、(tACC) :35 ns
スタンバイ(CS# = VCCの= 3.6ボルト、105°C) :750 µA
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メモリー チップS70KS1283GABHV023 128Mbit擬似SRAMの記憶IC 24-VBGA IC破片

 

S70KS1283GABHV023の製品の説明

S70KS1283GABHV023は擬似SRAMのメモリー チップ、産業128MBit 1.8 Vである(105°C) 24-FBGAのxSPI (8の) HYPERRAM GEN 2.0。

 

S70KS1283GABHV023の指定

 
部品番号 S70KS1283GABHV023
密度 128 MBit
技術 PSRAM (擬似SRAM)
家族 KS-3
最初のアクセス時間 35 ns
インターフェイス帯域幅 400 MByte/s
インターフェイス頻度(SDR/DDR) 200MHz
インターフェイス xSPI (8)


S70KS1283GABHV023の特徴

  • 200 MHz最高のクロック レート
  • 時計の両方の端のDDRの移動データ
  • データ・スループット400までMBps (3,200 Mbps)
  • 構成可能の破烈させた特徴

 

在庫の他の電子部品

部品番号 パッケージ
S25HL512TDPBHM010 24-BGA
S26HS01GTGABHI030 24-FBGA
S25HL512TDPBHI010 SMD
S25HL512TFANHI010 WSON8
CY15B102QN-50LHXI FBGA
CY7C1514KV18-250BZXI FBGA165

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 
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