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自動車用 IGBT モジュール A2U12M12W2-F2 3 レベル トポロジー 1200V SiC パワー MOSFET パワー モジュール
A2U12M12W2-F2の説明
A2U12M12W2-F2 は、高度なシリコン カーバイド パワー MOSFET 技術を統合した T タイプ 3 レベル インバータ トポロジの脚を表すパワー モジュールです。この A2U12M12W2-F2 モジュールは、ワイドバンドギャップ SiC 材料と高熱性能基板の革新的な特性を活用しています。その結果、単位面積あたりのオン抵抗が非常に低くなり、実質的に温度に依存しない優れたスイッチング性能が得られます。
A2U12M12W2-F2 の製品属性
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IGBT シリコン カーバイド モジュール |
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フルブリッジ |
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SiC |
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1200V |
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-10V～22V |
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圧入 |
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- 40℃ |
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+ 150℃ |
A2U12M12W2-F2 のすべての機能
3 レベルのトポロジー
ACEPACK 2 電源モジュール
各スイッチの標準 RDS(on) は 13 mΩ
絶縁電圧 2.5 kVrms の UL 認定
内蔵 NTC 温度センサー
DBC Cu-Al2O3-Cu系
圧入コンタクトピン
A2U12M12W2-F2 の電気トポロジーとピンの説明
よくある質問
Q. オリジナル商品ですか？
A：はい、すべての製品はオリジナルです。新しいオリジナルの輸入が私たちの目的です。
Q:どの証明書がありますか?
A:私たちは ISO 9001:2015 認定企業であり、ERAI のメンバーです。
Q:少量の注文またはサンプルをサポートできますか?サンプルは無料ですか?
A：はい、サンプル注文と少量注文をサポートしています。サンプル費用は、注文またはプロジェクトによって異なります。
Q: どのように私の注文?安全ですか？
A：DHL、Fedex、UPS、TNT、EMSなどのエクスプレスを使用して発送します。提案されたフォワーダーも使用できます。
Q: リードタイムはどうですか?
