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6インチ超高電圧 SiC エピタキシアル・ウェーファー MOSFET デバイス用 100 〜 500 μm
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6インチ超高電圧 SiC エピタキシアル・ウェーファー MOSFET デバイス用 100 〜 500 μm
製品の詳細
6インチ超高電圧SiCエピタキシャルウェーハ 主な紹介 6インチ超高電圧SiCエピタキシャルウェーハ 100～500μm MOSFETデバイス用 この製品は、6インチN型4H-SiC導電性基板上に、高温化学気相成長法（HT-CVD）技術を用いて成長させた、100～500μmの厚さを持つ高純度、低欠陥...
製品詳細図 →
