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シリコン・カービッド (SiC) バッキング・プレート/サポート・プレートは,半導体,LED,太陽光発電などの先進的な製造部門で広く使用される高性能セラミック部品です.熱耐性 が 優れている耐腐蝕性,高熱伝導性,そして硬さ,それらは精密なプロセスに理想的です. ZMSHは設計,製造,テストを含むカスタマイズされたSiCバックプレートソリューションを提供します.,プロセス安定性と生産効率の向上を保証する
| パラメータ | 仕様 | ユニット | 注記 |
| 材料の種類 | CVD-SiC / RBSiC / HPSiC | - | 選択可能 |
| 直径 | 100-500 (カスタマイズ可能) | mm | カスタム |
| 厚さ | 10〜50 | mm | 調節可能 |
| 最大動作温度 | 1650 | °C | 長期 |
| 熱伝導性 | 120〜200 | W/m·K | 25°Cで |
| 熱膨張係数 | 4.0×10−6 | /°C | NT1 温室効果ガス |
| 密度 | 3.10-3だ21 | g/cm3 | 理論的な |
| 毛孔性 | <0.5% | - | 密度が高い |
| 表面の荒さ (Ra) | <0.2 (磨いた) | μm | ミラー仕上げ |
| 平らさ | ≤0.05 | mm/100mm | 精度レベル |
| 硬さ (モス) | 9.2 | - | ダイヤモンドに次ぐ |
| 折りたたみの強さ | 350〜450 | MPa | 3ポイント |
| 純度 | >99.9995% | - | 半導体級 |
わかった
1.高温 に 耐える1600°C以上で安定して動作し,極端なプロセス条件に適しています.
2.優れた熱伝導性熱を素早く散布し,熱圧を減らすため,従来の材料 (例えば,グラフィート,アルミニウム) を上回ります.
3.低熱膨張高温で卓越した寸法安定性があり,歪みを最小限に抑える.
4.高硬さ 耐磨性摩ス硬度 92耐久性を保証する
5.化学的惰性酸,アルカリ,腐食性環境 (エッチング,CVD/PVDなど) に耐性がある.
6.高度な純度金属のない構成で 半導体産業の厳格な基準を満たしています
わかった1プロセスの互換性
半導体製造CVD,MOCVD,エピタキシアル成長に対応し,ホイバーの均一な加熱を保証します.
■LEDの生産円筒印章層の成長のためにサファイア基質をサポートします.
■太陽光発電高温シンタリングと薄膜堆積に使用されます.
· 精密加工レーザー切削,プラズマエッチング,その他の高精度プロセスに適しています.
2材料の種類
· 反応結合型SiC (RBSiC)低コストで高温での一般使用に最適です
化学蒸気堆積 SiC (CVD-SiC)半導体プロセスのための超高純度
· 熱圧式SiC (HPSiC)重荷用アプリケーションのための高密度と強度
3基本アプリケーション
· ウェーファー/基板のサポート処理中に均等な熱分布を保証します.
● グラフィット 代替酸化や粒子汚染のリスクをなくします
· 彫刻 装置安定したプラズマ環境をサポートします.
1オーダーメイドデザイン オープティマイズされた寸法,幾何学,表面処理 (例えば,磨き,コーティング)
2精密製造 高度な一貫性と信頼性のための高度なシンタリング/CVD技術
3厳格なテスト 超音波検査 熱循環 品質保証プロトコル
4迅速な対応 テクニカルコンサルティング,プロトタイプ作成,大量生産支援
5. グローバルサポート 24時間営業のアフターサービスで,世界各地の対応 (アジア・太平洋,ヨーロッパ,アメリカ)
1. Q: SiC 基板の最大温度は?
A: SiC 基板は1650°Cまで継続的に耐えるため,半導体CVD/MOCVDプロセスに最適です.
2Q:なぜ石墨ではなく SiC を使ったのですか?
A: SiC は高純度ウエファー加工において,素粒子汚染をゼロにし,硬さも高く,使用寿命もグラフィットよりも長くします.
タグ: #SiCバックプレート, #サポートプレート, #SiCトレイ, #MOCVD/CVD, #高純度シリコンカービッド, #高温耐性, #カスタム, #ウェーファーキャリア
