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ZMSH の基本的競争力
半導体材料のソリューションを供給する世界トップ企業としてZMSHは 超高純度SiC単結晶成長技術と 先進的なコーティング技術を利用した SiCマルチ・ウェーファーサスペクターを開発しましたこれらの受容体は,熱ストレス裂け目や汚染を含む複合半導体製造における重要な課題に対処します.
· 超高温安定性 (1600°C以上で動作)
· ナノスケールでの熱伝導性制御 (横向熱伝導性>350 W/m·K)
化学的に惰性表面 (ASTM G31 III による酸/塩基腐食耐性)
TSMCと三?? 電機で1200時間の信頼性試験で検証されたこの製品は,6インチワッフル大量生産と8インチプロセス資格の99.95%の出力を達成している.
技術仕様:
| パラメータ | 価値 | ユニット | 試験条件 |
| シリコンカービッド含有量 | >995 | % | - |
| 穀物 の 平均 サイズ | 4から10 | μm (マイクロン) | - |
| 散布密度 | >3.14 | kg/dm3 | - |
| 表面的な毛孔性 | <0.5 | 総量 % | - |
| ヴィッカース硬さ | 2800 | HV0.5 kg/mm2 | - |
| 破裂モジュール (3ポイント) | 450 | MPa | 20°C |
| 圧縮強度 | 3900 | MPa | 20°C |
| 弾力度モジュール | 420 | GPa | 20°C |
| 骨折強度 | 3.5 | MPa·m1·2 | - |
| 熱伝導性 | 160 | W/(m·K) | 20°C |
| 電気抵抗性 | 106~108 年 | オム・cm | 20°C |
| 熱膨張係数 | 4.3 | K−1×10−6 | RT~800°C |
| マックス 適用温度 |
1600 (酸化する大気) ) / 1950 (無活性大気) |
°C | オキシド/無活性大気 |
1物質革新
- どうした?高純度シリコン単結:物理蒸気輸送 (PVT) で培養され,ボロン (B) の濃度 < 5×1015 cm−3,酸素 (O) 含有量 < 100 ppm,流出密度 < 103 cm−2SiCウエフに一致する熱膨張係数 (CTE) を確保する (Δα=0).8×10−6/K).
- どうした?ナノ構造化コーティングプラズマ強化化学蒸気堆積 (PECVD) 200nm TiAlNコーティング (硬さ 30GPa,摩擦係数 <0.15) は,ウエファの擦り傷を最小限に抑える.
2. 熱管理
- どうした?グラディアント熱伝導性:多層SiC/SiC複合材は,8インチのキャリアで ±0.5°Cの温度均一性を達成する.
- どうした?熱ショック耐性:1000回の熱サイクル (ΔT=1500°C) を破裂せずに生存し,グラフィットキャリアを5倍上回る寿命.
わかった3プロセスの互換性
- どうした?多プロセスのサポート:MOCVD,CVD,Epitaxyと 600~1600°Cと 1~1000 mbarで対応する.
- どうした?ウェーファーサイズ柔軟性:2~12インチワフルをGaN-on-SiCとSiC-on-SiCヘテロ構造に対応する.
わかった
1複合半導体製造
■ GaN電源装置:1200°Cで4インチのGaN-on-SiCウエファーで2.5kVMOSFETの表軸成長を可能にし,<5×104cm−2の欠陥密度を達成する.
■ SiC RF 装置:HEMT用の4H-SiC-on-SiCヘテロエピタクシーに対応し,220 mS/mmのトランスコンダクタンスと1.2 THzのカットオフ周波数を有する.
2.太陽光発電とLED
HJT 消化層:MOCVDでは<1×106cm−2のインターフェイス欠陥を達成し,太陽電池効率を26%まで向上させる.
■ マイクロLED 転送:150°Cの静電調整を用いた5μmLEDの99.5%の転送効率を実現する.
わかった3航空宇宙と原子力
■ 放射線検出器NASAの深空ミッションのために<3keV FWHMエネルギー解像度>のCdZnTeウエフルを製造する.
制御棒シール:SiCで覆われたキャリアは,1×1019 n/cm2の中性子放射線に耐えるため,原子炉の寿命は40年.
ZMSHは,材料研究開発,プロセス最適化,大量生産サポートを含むエンドツーエンドの技術ソリューションを提供しています.高精度カスタマイズされた製造 (± 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0 × 0.0001mm 容量) とナノスケール表面処理技術 (Ra < 5nm)半導体,光電子,再生可能エネルギー部門に ワイファーレベルのキャリアソリューションを提供し 99.95%の出力と性能信頼性を保証します
1. Q: SiC マルチ・ウェーファー ソーセプターの主要な利点は?
A: SiC多面パネルサスペクターは 1600°Cの熱安定性, ± 0.5°Cの均一性,および化学的惰性によって GaN/SiC電源装置の欠陥のない上軸生長を可能にします.
2生産効率を向上させるにはどうすればいいですか?
MOSFETでは サイクルの時間を 30% 短縮し 欠陥密度を <5×104cm−2 にする. 多晶体精度 (12インチ) と人工知能による熱制御によって.
タグ: #SiC マルチ・ウェーファー 疑惑機 #シリコン・カービッド マルチ・ウェーファー キャリア・プレート #SiC トレイ #MOCVD/CVD #高純度シリコン・カービッド #ラボ製宝石 #カスタム #LED
