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4H-N 2/3/4/6/8/12 インチ シリコンカービッド (SiC) 基板 プライム/ダミー/リサーチグレード
この製品シリーズは,高度な半導体,電力電子,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁気,電磁,電磁,電磁,電磁,電磁,電磁,電磁,電磁,電磁電子光学アプリケーションプライム (デバイスグレード),ダミー (プロセステスト) およびリサーチ (実験) グレードで利用可能で,これらの基板は優れた熱伝導性 (> SiC の 400 W/m·K),高断裂電圧,化学的安定性も高い
プライムグレードは欠陥密度が非常に低く,MOSFET,ショットキー二極管,RFコンポーネントなどの高性能デバイスに最適です.ダミーグレードは,プロセス最適化のための費用対効果の高いソリューションを提供しています広帯域半導体技術の学術と産業の研究開発を支援する.
パーソナライズ可能な仕様 (ドーピング,厚さ,磨き) で,これらの基板は,パワーエレクトロニクス,5G通信,電気自動車 (EV) のアプリケーションの厳格な要求を満たしています.
仕様表
| 属性 | 仕様 |
| 材料 | 4H SiC |
| 梱包 | シングルウエファーパッケージ |
| タイプ | N型 |
| 直径 | 150mm ±0.25mm (4インチ) |
| 厚さ | 500μm ±50 μm |
| 表面の荒さ (炭素面) | Ra ≤0.5nm カーボン面がエピ準備済み |
| 表面の荒さ (シリコン面) | 光学磨き |
| オリエンテーション | 4軸から0.0度 ±0.5度<11-20>方向へ |
| MPD | ≤0.5/cm2未満 |
| TTV/BOW/ワップ | <10μm /<30μm /<30μm |
| FWHM | ≤30弧秒以下 |
| 主要・次要のアパート | 要求されない (平らな磨きは禁止) |
| 耐性 | <0.25オム/cm |
SiCウエフルの用途
4H-N基質は 複数の産業における 最先端技術に対応しています
1電力電子
- 電動車 (EV):高圧 SiC MOSFET とインバーター
- 急速充電システム:EVや消費電子機器用のコンパクトで高効率の充電器を可能にします.
- 産業用モーター駆動:高温環境での堅牢な性能
2RF&ワイヤレス通信
- 5Gベースステーション:信号損失が少ない高周波トランジスタ
- レーダーと衛星システム:航空宇宙および防衛アプリケーションのための強化された電力処理
3オプト電子機器
- UVLEDとレーザー:高明るさアプリケーションのための優れた熱管理
4研究技術
- 広帯域半導体研究: 材料の性質に関する基本的研究
よくある質問 (FAQ)
1この基質は,ドーピングと厚さの点でカスタマイズできますか?
N型 (窒素ドーピング) とP型 (アルミドーピング) の変形が 調整可能な抵抗性で 厚さもカスタマイズできます
2- 注文の配達時間は?
- 標準サイズ (2~6インチ) 2-4週間
- 大型 (8"~12"): 4-6週間 (利用可能に応じて)
3基質をどのように保管し,扱うべきか?
- クリーンルーム (クラス1000以上) に保管する.
- 汚染を避けるために,ニトリル手袋で操作します.
- 縁に機械的なストレスを避ける.
