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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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SiC結晶種子ワッフル Dia 205 203 208 生産グレード PVT/HTCVD成長
製品の詳細
概要SiC種子ウエフラー SiC結晶種子ワッフル Dia 205 203 208 生産グレード PVT/HTCVD成長 シリコン・カービッド (SiC) 種子結晶は,切断,磨き,加工,製造などで生産される,SiC単結晶の成長と装置製造のための基礎材料です.高純度SiC結晶の磨きこれらのウエファーは...
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