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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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ガリウム窒化物のウエファー (40)
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SiC Substrate
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2インチ/4インチ/6インチ/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレード ダミーグレード
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ガリウム窒化物のウエファー
[40]
サファイアのウエファー
[74]
SiCの基質
[119]
サファイア光学Windows
[71]
リン化インジウムのウエファー
[35]
サファイアの部品
[62]
サファイアの保護ガラス
[28]
総合的な宝石用原石
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半導体装置
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LiNbO3ウエファー
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GaAsのウエファー
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総合的なサファイア棒
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2インチ/4インチ/6インチ/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレード ダミーグレード
製品の詳細
製品説明: 2インチ/4インチ/6インチ/5.0*5.0 mm/10.0*10.0 mm Sic シリコンカービッド基板型 3C-N 軸: < 111 > ± 0.5° 製造グレード ダミーグレード 3C-N型シリコンカービード (SiC) 基板は,立方結晶構造の半導体材料で,3Cは立方結晶系を表し...
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