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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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ガリウム窒化物のウエファー (40)
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実験室のラッパー (21)
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SiC Substrate
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2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード
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ガリウム窒化物のウエファー
[40]
サファイアのウエファー
[74]
SiCの基質
[119]
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リン化インジウムのウエファー
[35]
サファイアの部品
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LiNbO3ウエファー
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GaAsのウエファー
[25]
総合的なサファイア棒
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2インチ / 4インチ / 6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P 型オフ軸 2.0° 生産グレード
製品の詳細
製品説明: 2インチ/4インチ/6インチ Sic シリコンカービッド基板 4H-P型オフ軸:2.0° 生産グレードに向かって シリコンカービッド基板4H-P型は,4H結晶構造のP型 (正型) シリコンカービッド材料を指す.その中,4Hは,ポリ結晶のシリコンカービッド形を表す.六角格子構造があり,シリ...
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