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ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形

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ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形

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モデル番号 :ゲルミウム基板
産地 :中国
支払条件 :T/T
配達時間 :2〜4週間
材料 :GEの単結晶
直径 :0.5~150mm
厚さ :0.5mm
タイプ :N型/P型/ドーピングされていない
表面 :磨いた/ etc
抵抗 :0.1~60ohm.cm
企業 :半導体の基質、光学装置
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製品説明

ゲルマニアム・ウェーファー半導体基板 < 111> 集約光伏CPV オーダーメイドサイズ形

ゲルマニウムは半導体性能が良い.高純度ゲルマニウムは,P型ゲルマニウムの半導体を得るために,三価元素 (例えばインディウム,ガリウム,ボロン) とドーピングされる.半価元素 (e)N型ゲルマニウム半導体を得るためにドーピングされる.彼らは高い電子移動性と高い穴移動性を持っています.高品質のゲルマニウム基板は,濃縮光伏 (CPV) に使用できる宇宙の太陽光パネルや 高明度のLEDの用途

ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形


特徴

- 格子定数は,シリコンよりも大きいので,異質構造の構築に便利です.

- 高速電子装置の製造に有利である. 電子の移動性は,シリコンの約3倍である.

低帯域幅 (0.67 eV) のため,赤外線光電検出および放出アプリケーションに適しています.

ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形

放射線に敏感で,放射線に敏感な電子機器に適しています.

処理技術は比較的複雑でコストも高い.


テクニカルパラメータ

ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形


申請

1高周波アナログおよびRF電子:マイクロ波ダイオード,トランジスタ,集成回路;マイクロ波周波数帯の電子機器,例えばレーダーおよび通信.

2赤外線光電検出と放出:赤外線検出器,熱画像機;赤外線放出ダイオード,レーザーダイオード.

3放射線に敏感な電子機器:複合半導体ヘテロ構造:航空宇宙航空システム;原子力発電所と軍事用電子機器.

4化合物半導体異質構造:GaAs,InPなどIII-V化合物の基板材料;異質構造太陽電池,レーザーダイオードなど.

ゲルマニウム・ウェーファー半導体基板 <111> 集中光電CPV オーダーメイドサイズ形


私たちのサービス

1工場の直接製造と販売

2速くて正確な引用です

324時間以内に返信します.

4オーダーメイドデザインは可能です.

5速さと貴重な配達


よくある質問

1. Q: どうやって支払いますか?
A:100%T/T,Paypal,ウェストユニオン,マネーグラム,安全な支払いと取引
アリババの保証など

2Q:私は私の必要に応じて製品をカスタマイズできますか?
A: はい,我々は,あなたの光学部品のための材料,仕様をカスタマイズすることができます
あなたのニーズに基づいて

3Q:あなたのMOQは何ですか?
A: (1) 備品については,MOQは3pcsです.
(2) カスタマイズされた製品では,MOQは25pcsです.

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