6インチシリコンカービッド 半絶縁型 SiC複合基板 P型 N型 シングルポーチ ダブルポーチ 生産グレード
半断熱性シリコンカービッド (SiC) 複合基板ウエファは,電力電子機器およびRFマイクロ波装置のための新しいタイプの基板材料である.半断熱型SiC複合基板は,電力電子機器で広く使用されています高周波マイクロ波装置,光電子装置,その他の分野.特に高性能マイクロ波集成回路と電源増幅機の製造に適しています.伝統的なシリコン基板と比較して半断熱型SiC複合材料基板は,より高い保温性,熱伝導性,機械的強度を持っています.高電力自動車の新世代の開発のための理想的な物質的基盤を提供高周波電子機器
特徴:
■ 医療機関 高耐性:半絶縁型SiCウエファは10^8~10^10 Ω·cmの耐性に達することができる.この非常に高い抵抗性により,電子機器が互いに干渉するのを効果的に隔離することが可能になります.
■ 医療機関低介電損失:半絶縁型SiCウエファーは,通常10^-4未満の非常に低い介電損失因子を持っています.高周波で動作するときに装置のエネルギー損失を減らすのに役立ちます.
■ 医療機関優れた熱伝導性:SiC材料は高熱伝導性があり,装置によって生成される熱を効果的に伝導することができる.装置の熱管理性能を向上させ,動作安定性を向上させるのに役立ちます.
■ 医療機関高機械強度:半絶縁型SiCウエファは高硬度と折りたたみの強度を持っています.大量の機械的ストレスを耐えることができ,高信頼性の電子機器の製造に適しています..
■ 医療機関化学的安定性:SiC材料は高温で化学的に腐食性のある環境で優れた化学的安定性を持っています.厳しい環境で装置の使用寿命を改善するのに有益です.
■ 医療機関Si と良好な互換性:半絶縁型SiCウエフルの格子定数と熱膨張係数は,シリコンと似ている.装置の製造プロセスを簡素化し,製造コストを削減するのに役立ちます.
技術パラメータ:
応用:
1.RFおよびマイクロ波装置:半絶縁型SiCは,低電圧損失と高い絶縁性により,RFおよびマイクロ波統合回路の製造に理想的です.携帯電話通信基地局などの高周波マイクロ波場に適用できますレーダーシステムや衛星通信
2.パワー電子:半絶縁型SiCは優れた熱伝導性と高温特性があり,電力半導体装置の製造に有益である.電力増幅器などの高電力電子機器の製造に使用できます電源の切り替えと電源変換
3.光電子:半絶縁型SiCは放射線抵抗性があり,放射線環境で動作する光検出器装置の製造に使用することができます.放射線耐性に対する厳格な要求のある国家防衛および他の分野.
カスタマイズ:
私たちのSiC基板は,半絶縁型で利用可能で,RoHS認証されています. 最低注文量は10pcで,価格はケースによって異なります. パッケージの詳細はカスタマイズされたプラスチックボックスです.配達時間は30日以内です. 我々はT/T支払い条件を受け入れます.供給能力は月1000pcです. SiC基板のサイズは6インチです. 起源地は中国です.
私たちのサービス:
1工場の直接製造と販売
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4オーダーメイドデザインは可能です.
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