SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

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シリコン・カービッド・シード・ウエファー型 4H ダイア 157±0.5mm 厚さ 500±50um モノクリスタル 面積 >153mm

シリコン・カービッド・シード・ウエファー型 4H ダイア 157±0.5mm 厚さ 500±50um モノクリスタル 面積 >153mm
  • シリコン・カービッド・シード・ウエファー型 4H ダイア 157±0.5mm 厚さ 500±50um モノクリスタル 面積 >153mm
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製品の詳細
シリコン・カービッド・シード・ウエファー型 4H ダイア 157±0.5mm 厚さ 500±50um モノクリスタル 面積 >153mm 4Hシリコンカービッドシード 抽象 シリコンカービッド (SiC) の結晶の成長において,生産グレードのSiC種子ウエファーは高性能結晶の作成に不可欠である.単結...
製品詳細図 →