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シリコンカービッド結晶の成長のための4Hタイプ生産グレードのSiC種子ウエファー 8インチ厚さ600±50um
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シリコンカービッド結晶の成長のための4Hタイプ生産グレードのSiC種子ウエファー 8インチ厚さ600±50um
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シリコンカービッド結晶の成長のための4Hタイプ生産グレードのSiC種子ウエファー 8インチ厚さ600±50um SiCシードウエフルの抽象 SiC種子ウエファーは,高品質のシリコンカービッド (SiC) 結晶の生産において極めて重要です.これらのウエファーは,SiC単結結晶の成長のための基板として機...
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