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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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ガリウム窒化物のウエファー (40)
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サファイアの保護ガラス (28)
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実験室のラッパー (21)
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SiC Substrate
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6インチシック シリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード
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ガリウム窒化物のウエファー
[40]
サファイアのウエファー
[74]
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[119]
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リン化インジウムのウエファー
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6インチシック シリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード
製品の詳細
製品説明: 6インチシック シリコンカービッド基板 4H-P 直径150mm 厚さ350μm MPD生産ゼロ,標準生産グレード 4H-Pシリコンカーバイド (SiC) は,高温,高周波,高電力電子機器で使用される重要な半導体材料である.4H-SiCは,六角格子構造を持つ結晶構造の一種である. 帯域幅...
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