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2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm
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2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm
製品の詳細
製品説明: 2インチシークリシウムカービッド基板 6H 低耐性 高Pドーピング型 直径 50.8mm 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) は,熱伝導性が良し,高温耐性のある広いバンドギャップ半導体材料である.高功率および高周波の電子機器に広く使用されているP型ドーピ...
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