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Indium Phosphide Wafer
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FP エピワファー インプスプラート接触層 InGaAsP Dia 2 3 4 インチ OCT 1.3um波長帯
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ガリウム窒化物のウエファー
[40]
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FP エピワファー インプスプラート接触層 InGaAsP Dia 2 3 4 インチ OCT 1.3um波長帯
製品の詳細
FPエピワファー InP基板接触層 InGaAsP Dia 2 3 4インチ OCT 1.3um波長帯 FPエピワファー InP基板の要約 インディウム・フォスフィード (InP) 基板のファブリ・ペロ (FP) エピワファーは,光電子機器の開発における重要な部品です.特に光通信およびセンサーアプリ...
製品詳細図 →
