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シリコン・ウェーファー,シリコン・ウェーファー,シリコン・サブストラート,シリコン・サブストラート,<100>,<110>,<111>,1インチ・シリコン・ウェーファー,2インチ・シリコン・ウェーファー,3インチ・シリコン・ウェーファー,4インチ・シリコン・モノ結晶基板シリコン・モノクリスタル・ウェーバー
Si ワッフルの特性
- 使用するシリコン・モノクリスタル高度な純度で 99.999%
- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします
- 抵抗性はドーピング型によって大きく異なります
- P型 (ボロンを含む) または N型 (リンやアルセンを含む)
- 高技術分野,IC,太陽光発電,MEMSデバイスなどで広く使用されています
Si ワッフルの説明
シリコン・ウェーバーは,高度に浄化された単結晶のシリコンから作られた薄い平面ディスクで,半導体産業で広く使用されています.
これらのウエファは,統合回路や様々な電子機器の製造のための基本基板です.
シリコンウエファは通常,直径50mmから300mmの2インチから12インチまであり,その厚さはサイズによって異なります.通常は200μmから775μmです.
シリコンウエファは,Czochralskiまたはフロートゾーン方法を使用して製造され,最小限の粗さを持つ鏡面を得るために慎重に磨かれます.電気特性を変えるため,ボロン (P型) やリン (N型) などの元素でドーピングすることができます..
主要な特性には高熱伝導性,低熱膨張系数,優れた機械強度が含まれます.
ウェーファーには,電力の特性と隔熱力を高めるため,上軸層または薄い二酸化シリコン層も含まれます.
クリーンルーム環境で処理・処理され,純度を保ち,半導体製造における高出量と信頼性を保証します.
シウミガムについてもっと
| 成長方法 | Czochralski (CZ),浮遊地帯 (FZ) | ||
| 結晶構造 | キュービック | ||
| バンドギャップ | 1.12 eV | ||
| 密度 | 2.4g/cm3 | ||
| 溶融点 | 1420°C | ||
| 補強剤の種類 | ドーピングされていない | ボロン製 | フォスドーピング / アスドーピング |
| 伝導型 | 固有性 | P型 | N型 |
| 耐性 | >1000 Ωcm | 0.001~100 Ωcm | 0.001~100 Ωcm |
| EPD | <100 /cm2 | <100/cm2 | <100/cm2 |
| 酸素量 | ≤1x1018 /cm3 | ||
| 炭素含有量 | ≤5x1016 /cm3 | ||
| 厚さ | 150mm,200mm,350mm,500mm,その他 | ||
| 磨き | 片面から磨いたものまたは二面から磨いたもの | ||
| 結晶の向き | <100>, <110>, <111> ±0.5oまたは他の角外 | ||
| 表面の荒さ | Ra≤5Å ((5μmx5μm) | ||
Si ワッフルのサンプル
*他の要求がある場合は,個別化するために私達に連絡してください.
1Q:P型とN型のシウミガンの違いは何ですか?
A:P型シリコンウエファは 主な電荷媒介体として穴があり,N型ウエファには電子があり,抵抗性などの他の物理特性の違いは最小です.
2. Q: Si・ウェーバー,SiO2ウェーバー,SiCウェーバーの主な違いは何ですか?
A: シリコン (Si) ウェーバーは,主に半導体装置で使用される純粋なシリコン基板です.
SiO2ウエフルは表面に二酸化シリコン層があり,しばしば隔熱層として使用されます.
シリコンカービード (SiC) ワッフルは,シリコンと炭素の化合物からできていて,より高い熱伝導性と耐久性があります.高性能および高温用途に適している.