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8 年
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透明オレンジ型無ドップガップウエファー P型 N型 200um 350um 5G型 発光
記述:
ガリウム・リン酸ガップは,他のIII-V化合物材料と同様にユニークな電気特性を持つ重要な半導体で,熱力学的に安定した立方型ZB構造で結晶します.2 の間接帯の隙間を持つオレンジ黄色半透明結晶材料です.26 eV (300K) で,高純度6N 7Nのガリウムとリンパから合成され,液体封筒化チョクラルスキー (LEC) 技術で単結化される.ガリウム・フォスフィード結晶は,n型半導体を得るために硫黄またはテルリウムをドーピングする,および亜鉛をp型伝導性としてドーピングし,その後,望ましいウエファーに製造し,光学システム,電子機器および他の光電子機器にアプリケーションを持っています.シングルクリスタルGAPウエファーが準備できます高品質のシングルクリスタルガリウム・フォスフィードGAP・ウェーファー p型n型または Western Minmetals (SC) Corporationでドープされていない導電性は,2′′と3′′ (50mm) のサイズで提供することができます.切断,磨き,またはエピ準備のプロセスで表面の仕上げで,方向性 <100>,<11>
特徴:
特定の波長の光を放出するのに適した広いバンドギャップ.GaP ウェーファー 優れた光学特性により,様々な色のLEDの生産が可能である.
LEDの赤,黄色,緑の光を発生する高効率性.特定の波長で優れた光吸収能力.高周波電子機器を容易にする優れた電導性信頼性の高い性能のための適切な熱安定性.半導体製造プロセスに適した化学安定性.GaP Wafer 追加の層の上軸成長のための好ましい格子パラメータ. 半導体堆積のための基板として機能する能力. 高熱伝導性のある堅固な材料. 光検出器のための優れた光電子能力.特定の波長範囲のための光学装置の設計における汎用性
技術パラメータ:
| ポイント | パラメータ |
| 色 | 透明 オレンジ 赤 |
| 直径 | 6 8 8 |
| 厚さ | 200mm 350mm |
| タイプ | P型 N型 |
| 密度 | 4.250g/cm3 |
| 溶融点 | 1478 °C |
| 成長方法 | LPE |
| 溶解性 | 溶ける |
| オリエンテーション | (110)A 0°+02 |
| 屈折率 | 3.19 |
| ワープ | 8um |
| 身をかがめる | 8um |
| TTV | 8um |
| グレード | P R A |
| 原産地 | 中国 |
| 適用する | 5G |
応用:
ガリウムホスフィド単結晶は切断,エピタキシーなどのプロセスを通して固体光を発する装置にでき,寿命が長く,半永久である.この装置は急速に開発され, 楽器に広く使用されていますデジタルディスプレイやインディケーターライトのために,赤色や緑色光などを発する (光の波長はドーピングによって異なります).ガリウム アルセニド で 作ら れ た 初期 の 光 を 放出 する 装置 は,単語の 20 ミリ ルメン を 放出 する ため に 100 ミリ アンプ の 電流 が 必要 でし た同じガリウム・フォスフィード製の光を発する装置は 20ミリルメンを発するのに たった10ミリアンプの電流を必要とします2層エピタキシ法で作られたガリウム・フォスフィード発光管の効率は4~5%ウィングロフは,ガリウムリン酸塩発光装置の効率を左右する主な要因は,結晶内の脱位密度であると考えている.変位密度が高いとき 光効率が低い.
他の製品:
FAQ:
Q: ブランド名は何ですか?GaPウエフラー?
A: ブランド名GaPウエフラーZMSH です
Q: 認証とは何か?GaPウエフラー?
A: 認証GaPウエフラーROHSです
Q: 原産地は何処ですか?GaPウエフラー?
A: 原産地GaPウエフラー中国です
Q: 生産量の MOQ は一度にGAPワッフル?
A: 生産量についてGaPウエフラー25個ずつです