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8 年
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2?? 3?? FZ SiO2 シングルクリスタルICチップ 100um 200um 乾燥湿酸化層 100nm 300nm
製品説明:
シリコンウエファーは,高温で酸化剤の存在下で炉管を通って形成され,この過程は熱酸化と呼ばれる.温度範囲は900から1まで制御されます250°C;酸化ガスH2:O2の比は1から1である.51 と 31シリコンウエフの大きさに合わせて 厚さが異なるので 酸化しません基板シリコンウエファーは,0のオキシド層厚さの6"または8"モノ結晶シリコンです.1μm~25μm.一般シリコンウエフルの酸化層の厚さは主に3μm以下に集中している.現在安定できる 高品質の厚い酸化層 (3μm以上) のシリコンウエファーの量産 国や地域や米国.
特徴:
シリコン材料は硬くて脆い (モス7.0) 帯の隙間幅1.12eV 光の吸収は赤外線帯で,高い放出率と屈折率 (3.42)シリコンは明らかな熱伝導性と熱膨張特性 (線形膨張係数2.6*10^-6/K),シリコンの溶融体積は収縮し,固化膨張,表面張力係数は大きい (表面張力720dyn/cm);室温ではシリコンは柔軟性がない.温度は800度以上です明らかに形状があり,ストレスの作用下ではプラスチック変形に易い.シリコンの張力強さは抗減圧よりも大きい.処理中に曲げたり,曲げたりすることは簡単です.
技術パラメータ:
| ポイント | パラメータ |
| 密度 | 2.3g/cm3 |
| 溶融点 | 1750°C |
| 沸点 | 2300°C |
| 屈折率 | 1.4458±00001 |
| モル | 60.090 |
| 外見 | グレー |
| 溶解性 | 溶けない |
| シンターポイント | 900°C~1500°C |
| 調製方法 | 乾/湿酸化 |
| ワープ | 8um |
| 身をかがめる | 8um |
| TTV | 8um |
| オリエンテーション | 110 |
| ラ | 0.4nm |
| 適用する | 5G |
応用:
モノクリスタルシリコンは,ダイオードレベル,直線装置レベル,回路レベル,太陽電池レベルでのモノクリスタル製品生産および深加工製造に使用できます.そのフォローアップ製品 集積回路と半導体分離装置は様々な分野で広く使用されています今日,太陽光発電技術とマイクロ半導体インバーター技術の急速な発展により,シリコン・シングル・クリスタルで作られた太陽電池は 太陽エネルギーを光エネルギーに直接変換できます北京オリンピックは"グリーンオリンピック"の概念を世界に示していますモノクリスタルシリコンの使用は,その非常に重要な部分です.
他の製品:
FAQ:
Q: ブランド名は何ですか?SiO2 シングルクリスタル?
A: ブランド名SiO2 シングルクリスタルZMSH です
Q: 認証とは?シオ2 シングルクリスタル?
A: 認証SiO2 シングルクリスタルROHSです
Q: 原産地は?SiO2 シングルクリスタル?
A: 原産地SiO2 シングルクリスタル中国です
Q: の MOQ は?SiO2 シングルクリスタル?
A: MOQ はSiO2 シングルクリスタル25個ずつです